Počet záznamů: 1  

Characterization of polarizing semiconductor radiation detectors by laser-induced transient currents

  1. 1.
    SYSNO ASEP0495539
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevCharacterization of polarizing semiconductor radiation detectors by laser-induced transient currents
    Tvůrce(i) Musiienko, A. (CZ)
    Grill, R. (CZ)
    Pekárek, J. (CZ)
    Belas, E. (CZ)
    Praus, P. (CZ)
    Pipek, J. (CZ)
    Dědic, V. (CZ)
    Elhadidy, Hassan (UFM-A) RID
    Celkový počet autorů8
    Číslo článku082103
    Zdroj.dok.Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
    Roč. 111, č. 8 (2017)
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovacdznte detectors ; cdte ; Electric current measurement
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Institucionální podporaUFM-A - RVO:68081723
    UT WOS000408570000013
    EID SCOPUS85028539418
    DOI10.1063/1.4997404
    AnotaceA method is presented for the determination of the carrier drift mobility, lifetime, electric field distribution, and the dynamics of space charge formation, including the detrapping energy and capture cross-section of the dominant trap level in polarizing semiconductor radiation detectors. The procedure stems from the laser-induced transient current measurements done at a steady-state and pulsed biasing and at variable temperature. The approach allows us the direct determination of detector parameters from measured data without a complex mathematical treatment. The detrimental effect of surface carrier recombination often hampering the evaluation of detector properties is eliminated. Lifetime worsening caused by the space charge formation is included. The usefulness of the procedure is demonstrated on a CdTe radiation detector. Published by AIP Publishing.
    PracovištěÚstav fyziky materiálu
    KontaktYvonna Šrámková, sramkova@ipm.cz, Tel.: 532 290 485
    Rok sběru2019
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.