Počet záznamů: 1
Comparing proton and neutron induced SEU cross section in FPGA
- 1.
SYSNO ASEP 0466541 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Comparing proton and neutron induced SEU cross section in FPGA Tvůrce(i) Vaňát, Tomáš (UJF-V) ORCID, SAI
Křížek, Filip (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Ferencei, Jozef (UJF-V) RID
Kubátová, H. (CZ)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Proceedings of hte 2016 IEEE 19th International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits and Systems (DDECS 2016). - Košice : Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2016 - ISBN 978-1-5090-2467-4 Rozsah stran s. 214-217 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 19th IEEE International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits and Systems (DDECS 2016) Datum konání 20.04.2016 - 22.04.2016 Místo konání Košice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova protons ; field programmable gate arrays ; neutrons ; single event upsets ; table lookup ; cyclotrons ; silicon Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000387091100039 EID SCOPUS 84978499708 DOI 10.1109/DDECS.2016.7482480 Anotace Single event upsets (SEU) are induced by an electric charge deposited in the material of the chip. The origin of the charge can be either from outside of the chip or it can be generated inside as a result of a nuclear reaction. We have measured the cross section of SEUs in FPGA using protons (directly ionizing particles) and neutrons (indirectly ionizing particles). Used energies up to 34 MeV are in the range, where the differences in the proton's ionizing power are most significant thanks to the Bragg peak. Measurements have shown, that the direct ionization is not the dominant effect causing SEU. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1