Počet záznamů: 1
Nanopatterning of Silicon Nitride Membranes
- 1.
SYSNO ASEP 0464387 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Nanopatterning of Silicon Nitride Membranes Tvůrce(i) Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Chlumská, Jana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Urbánek, Michal (UPT-D) RIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. NANOCON 2016. 8th International Conference on Nanomaterials - Research and Application. Conference Proceedings. - Ostrava : Tanger, 2017 - ISBN 978-80-87294-71-0 Rozsah stran s. 709-714 Poč.str. 6 s. Forma vydání Tištěná - P Akce NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./ Datum konání 19.10.2016 - 21.10.2016 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova e-beam writer ; silicon nitride membranes ; nano patterning ; anisotropic etching Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Nano-processes (applications on nano-scale) CEP TE01020233 GA TA ČR - Technologická agentura ČR LO1212 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ED0017/01/01 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 UT WOS 000410656100123 EID SCOPUS 85017261626 Anotace Membranes are typically created by a thin silicon nitride (SIN) layer deposited on a silicon wafer. Both, top and bottom side of the wafer is covered by a thin layer of the silicon nitride. The principle of silicon nitride membranes preparation is based on the wet anisotropic etching of the bottom side of the silicon wafer with crystallographic orientation (100). While the basic procedure for the preparation of such membranes is well known, the nano patterning of thin membranes presents quite important challenges. This is partially due to the mechanical stress which is typically presented within such membranes. The resolution requirements of the membrane patterning have gradually increased. Advanced lithographic techniques and etching procedures had to be developed. This paper summarizes theoretical aspects, technological issues and achieved results. The application potential of silicon nitride membranes as a base for multifunctional micro system (MMS) is also
discussed.Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1