Počet záznamů: 1  

Nanoparticles embedded in hydrogenated amorphous silicon thin layers

  1. 1.
    SYSNO ASEP0452934
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevNanoparticles embedded in hydrogenated amorphous silicon thin layers
    Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
    Purkrt, Adam (FZU-D) RID
    Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Dřínek, Vladislav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Zhuravlev, K. (RU)
    Galkin, N.G. (RU)
    Zdroj.dok.International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors /26./ (ICANS26). Abstracts and Program. - Aachen : ICANS26, 2015 / Carius R.
    S. 196-197
    Poč.str.2 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceInternational Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors /26./ (ICANS26)
    Datum konání13.09.2015-18.09.2015
    Místo konáníAachen
    ZeměDE - Německo
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovaa-Si:H ; LED ; RLA ; RDE
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA14-05053S GA ČR - Grantová agentura ČR
    LD14011 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    LH12236 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858
    AnotaceNanoparticles (NPs) embedded in the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin layer modify its optoelectronic properties making this new nanocomposite material suitable for low cost, large area applications such as light emitting diodes (LED). The a-Si:H layer was grown on glass substrates at 250°C at the Institute of Physics in Prague by the radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD). The deposition of PbS and CdS nanoparticles on a-Si:H surface was achieved ex-situ at the Rzhanov Institute of Semiconductor Physics in Novosibirsk using Langmuir-Blodgett technique. The Reactive Deposition Epitaxy (RDE) in the ultra high vacuum (UHV) chamber was used ex-situ at Institute of Automation and Control Processes in Vladivostok to deposit metal (Mg, Ca, Cr) silicide nanoparticles.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2016
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.