Počet záznamů: 1  

Defect studies of thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition

  1. 1.
    SYSNO ASEP0441457
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevDefect studies of thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition
    Tvůrce(i) Vlček, M. (CZ)
    Čížek, J. (CZ)
    Procházka, I. (CZ)
    Novotný, Michal (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Bulíř, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCID
    Anwand, W. (DE)
    Brauer, G. (DE)
    Mosnier, J.-P. (IE)
    Zdroj.dok.Journal of Physics: Conference Series , 505. - Bristol : IOP Publishing Ltd, 2014 / Hugenschmidt C. ; Piochacz C. - ISSN 1742-6588
    Rozsah stran"012021-1"-"012021-4"
    Poč.str.4 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceInternational workshop on slow positron beam techniques and applications /13./ (SLOPOS13)
    Datum konání15.09.2013-20.09.2013
    Místo konáníMünchen
    ZeměDE - Německo
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaZnO films ; nanocrystalline diamond ; slow positron implantation spectroscopy
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGAP108/11/0958 GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000338216500021
    EID SCOPUS84901504318
    DOI10.1088/1742-6596/505/1/012021
    AnotaceThin ZnO films were grown by pulsed laser deposition on four different substrates: sapphire (0 0 0 1), MgO (1 0 0), fused silica and nanocrystalline synthetic diamond. Defect studies by slow positron implantation spectroscopy (SPIS) revealed significantly higher concentration of defects in the studied films when compared to a bulk ZnO single crystal. The concentration of defects in the films deposited on single crystal sapphire and MgO substrates is higher than in the films deposited on amorphous fused silica substrate and nanocrystalline synthetic diamond. Furthermore, the effect of deposition temperature on film quality was investigated in ZnO films deposited on synthetic diamond substrates. Defect studies performed by SPIS revealed that the concentration of defects firstly decreases with increasing deposition temperature, but at too high deposition temperatures it increases again. The lowest concentration of defects was found in the film deposited at 450° C.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2015
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.