Počet záznamů: 1
Defect studies of thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition
- 1.
SYSNO ASEP 0441457 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Defect studies of thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition Tvůrce(i) Vlček, M. (CZ)
Čížek, J. (CZ)
Procházka, I. (CZ)
Novotný, Michal (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Bulíř, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCID
Anwand, W. (DE)
Brauer, G. (DE)
Mosnier, J.-P. (IE)Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series , 505. - Bristol : IOP Publishing Ltd, 2014 / Hugenschmidt C. ; Piochacz C. - ISSN 1742-6588 Rozsah stran "012021-1"-"012021-4" Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce International workshop on slow positron beam techniques and applications /13./ (SLOPOS13) Datum konání 15.09.2013-20.09.2013 Místo konání München Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova ZnO films ; nanocrystalline diamond ; slow positron implantation spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GAP108/11/0958 GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000338216500021 EID SCOPUS 84901504318 DOI 10.1088/1742-6596/505/1/012021 Anotace Thin ZnO films were grown by pulsed laser deposition on four different substrates: sapphire (0 0 0 1), MgO (1 0 0), fused silica and nanocrystalline synthetic diamond. Defect studies by slow positron implantation spectroscopy (SPIS) revealed significantly higher concentration of defects in the studied films when compared to a bulk ZnO single crystal. The concentration of defects in the films deposited on single crystal sapphire and MgO substrates is higher than in the films deposited on amorphous fused silica substrate and nanocrystalline synthetic diamond. Furthermore, the effect of deposition temperature on film quality was investigated in ZnO films deposited on synthetic diamond substrates. Defect studies performed by SPIS revealed that the concentration of defects firstly decreases with increasing deposition temperature, but at too high deposition temperatures it increases again. The lowest concentration of defects was found in the film deposited at 450° C. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1