Počet záznamů: 1
Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory
- 1.
SYSNO 0440096 Název Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
Brückner, S. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Döscher, H. (DE)
Höhn, C. (DE)
May, M.M. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Grosse, F. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. Physical Review. B. Roč. 90, č. 23 (2014), "235301-1"-"235301-7" Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant M100101201, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova solar cells * GaP on Si(001) heteroepitaxy * RAS * DFT Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0243233
Počet záznamů: 1