Počet záznamů: 1
Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory
- 1.
SYSNO ASEP 0440096 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
Brückner, S. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Döscher, H. (DE)
Höhn, C. (DE)
May, M.M. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Grosse, F. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 90, č. 23 (2014), "235301-1"-"235301-7"Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova solar cells ; GaP on Si(001) heteroepitaxy ; RAS ; DFT Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000346390100006 EID SCOPUS 84916208445 DOI 10.1103/PhysRevB.90.235301 Anotace Energetically and kinetically driven Si(100) step formations result in majority domains of monohydride-terminated Si dimers oriented either parallel or perpendicular to the step edges. Here, the intentional variation of the Si(100) surface reconstruction controls the sublattice orientation of the heteroepitaxial GaP film, as observed by in situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS) in chemical vapor ambient. Ab initio density functional calculations of both abrupt and compensated interfaces are carried out. The energetically most favorable interface is compensated with an intermixed interfacial layer. In situ RAS reveals that the GaP sublattice orientation depends on the P chemical potential during nucleation, which agrees with a kinetically limited formation of abrupt interfaces. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1