Počet záznamů: 1
Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory
- 1.0440096 - FZÚ 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Supplie, O. - Brückner, S. - Romanyuk, Olexandr - Döscher, H. - Höhn, C. - May, M.M. - Kleinschmidt, P. - Grosse, F. - Hannappel, T.
Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory.
Physical Review. B. Roč. 90, č. 23 (2014), "235301-1"-"235301-7". ISSN 1098-0121
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: solar cells * GaP on Si(001) heteroepitaxy * RAS * DFT
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.736, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243233
Počet záznamů: 1