MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0433914
Název	MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
Tvůrce(i)	Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Krčil, Pavel (FZU-D) Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Komninou, Ph. (GR) Kioseoglou, J. (GR)
Zdroj.dok.	International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. S. 14-14. - Lausanne : École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 / Kapon E. ; Rudra A.
Konference	International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./, Lausanne, 13.07.2014-18.07.2014
Druh dok.	Abstrakt
Grant	GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CH
Klíč.slova	InAs quantum dots * GaAsSb layer * photocurrent * long emission wavelength * MOVPE
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0238091

Počet záznamů: 1