Počet záznamů: 1  

MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm

  1. 1.
    SYSNO ASEP0433914
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevMOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
    Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
    Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Krčil, Pavel (FZU-D)
    Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Komninou, Ph. (GR)
    Kioseoglou, J. (GR)
    Zdroj.dok.International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. - Lausanne : École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 / Kapon E. ; Rudra A.
    S. 14-14
    Poč.str.1 s.
    AkceInternational Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./
    Datum konání13.07.2014-18.07.2014
    Místo konáníLausanne
    ZeměCH - Švýcarsko
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovaInAs quantum dots ; GaAsSb layer ; photocurrent ; long emission wavelength ; MOVPE
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    AnotacePreparation and properties of InAs/GaAs quantum dots prepared by the MOVPE covered by GaAsSb SRL with extremely long emission wavelength at 1.8 µm is presented. The prolongation of the emission wavelength was achieved by the introduction of GaAsSb SRL with Sb content of about 30% in the solid phase. The high Sb concentration in the SRL causes the preservation of QD size, it prolongs the PL wavelength. Furthermore, high content of antimony leads to a creation of type II heterostructure for which a red shift of the PL wavelength and decrease of the PL intensity is typical. Low PL intensity may complicate light emitting applications; however, fast separation of carriers in the type II structure is an advantage for detector or solar cell application, especially with the long working wavelength. With respect to the perspective application of this structure, the photocurrent measurement was chosen as the complementary characterization method.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2015
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.