Počet záznamů: 1
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
- 1.
SYSNO ASEP 0433914 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Krčil, Pavel (FZU-D)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)Zdroj.dok. International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. - Lausanne : École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 / Kapon E. ; Rudra A.
S. 14-14Poč.str. 1 s. Akce International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./ Datum konání 13.07.2014-18.07.2014 Místo konání Lausanne Země CH - Švýcarsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova InAs quantum dots ; GaAsSb layer ; photocurrent ; long emission wavelength ; MOVPE Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Preparation and properties of InAs/GaAs quantum dots prepared by the MOVPE covered by GaAsSb SRL with extremely long emission wavelength at 1.8 µm is presented. The prolongation of the emission wavelength was achieved by the introduction of GaAsSb SRL with Sb content of about 30% in the solid phase. The high Sb concentration in the SRL causes the preservation of QD size, it prolongs the PL wavelength. Furthermore, high content of antimony leads to a creation of type II heterostructure for which a red shift of the PL wavelength and decrease of the PL intensity is typical. Low PL intensity may complicate light emitting applications; however, fast separation of carriers in the type II structure is an advantage for detector or solar cell application, especially with the long working wavelength. With respect to the perspective application of this structure, the photocurrent measurement was chosen as the complementary characterization method. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1