Počet záznamů: 1
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
SYS 0433914 LBL 02725^^^^^2200409^^^450 005 20240103204912.2 100 $a 20141030d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a CH 200 1-
$a MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0433682 $1 200 1 $a International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./ $v S. 14-14 $1 210 $a Lausanne $c École Polytechnique Fédérale de Lausanne $d 2014 $1 702 1 $a Kapon $b E. $4 340 $1 702 1 $a Rudra $b A. $4 340 610 0-
$a InAs quantum dots 610 0-
$a GaAsSb layer 610 0-
$a photocurrent 610 0-
$a long emission wavelength 610 0-
$a MOVPE 700 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0308739 $a Krčil $b Pavel $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0219559 $a Komninou $b Ph. $y GR $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0296566 $a Kioseoglou $b J. $y GR $4 070
Počet záznamů: 1