Počet záznamů: 1
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO 0399637 Název GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kubištová, Jana (FZU-D) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)
Nikitis, F. (GR)Zdroj.dok. Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. S. 46-50. - Praha : Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 / Aubrecht J. ; Kalvoda L. ; Kučeráková M. ; Štěpánková A. Konference Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./, Krkonoše, 28.06.2013-02.07.2013 Druh dok. Konferenční příspěvek (tuzemská konf.) Grant GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR 7AMB12GR034 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. CZ Klíč.slova quantum dot * strain reducing layer * InAs * GaAsSb Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0226876
Počet záznamů: 1