Počet záznamů: 1
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO ASEP 0399637 Druh ASEP K - Konferenční příspěvek (lokální konf.) Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Název GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kubištová, Jana (FZU-D) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)
Nikitis, F. (GR)Celkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. - Praha : Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 / Aubrecht J. ; Kalvoda L. ; Kučeráková M. ; Štěpánková A. - ISBN 978-80-01-05344-7
S. 46-50Poč.str. 5 s. Akce Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./ Datum konání 28.06.2013-02.07.2013 Místo konání Krkonoše Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova quantum dot ; strain reducing layer ; InAs ; GaAsSb Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR 7AMB12GR034 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace GaAsSb is often used as a capping material for InAs quantum dots (QDs) due to its suitable conduction band alignment and suppression of In segregation from QDs during the capping process.We have found out that during the GaAsSb layer growth, Sb atoms segregate above InAs QDs, which is proved by the AFM and HRTEM measurements. For higher amount of Sb in GaAsSb, the measured photoluminescence (PL) has longer wavelength, but if it is too high, the structure may become type II with decreased PL intensity. For thick GaAsSb layer, the PL intensity decreases, because only big QDs participate to the PL. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2014
Počet záznamů: 1