Počet záznamů: 1  

Improved amorphous/crystalline silicon interface passivation by hydrogen plasma treatment

  1. 1.
    Descoeudres, A., Barraud, L., De Wolf, S., Strahm, B., Lachenal, D., Guérin, C., Holman, Z.C., Zicarelli, F., Demaurex, B., Seif, J., Holovský, J., Ballif, C. Improved amorphous/crystalline silicon interface passivation by hydrogen plasma treatment. Applied Physics Letters. 2011, 99(12), 123506/1-123506/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118. Dostupné z: doi: 10.1063/1.3641899.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.