Počet záznamů: 1  

Luminescence properties of Er:LiNbO3 thin layers fabricated by ion implantation

  1. 1.
    SYSNO ASEP0351934
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    NázevLuminescence properties of Er:LiNbO3 thin layers fabricated by ion implantation
    Tvůrce(i) Nekvindová, P. (CZ)
    Cajzl, J. (CZ)
    Švecová, B. (CZ)
    Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
    Oswald, J. (CZ)
    Kolitsch, A. (DE)
    Špirková, J. (CZ)
    Celkový počet autorů7
    Zdroj.dok.ICOOPMA, book of abstracts. - Madarsko : ICOOPMA, book of abstracts, Budapešt, 2010
    Rozsah strans. 116-117
    Poč.str.2 s.
    AkceICOOPMA 2010-Fourth International Conference on Optice
    Datum konání15.08.2010-20.08.2010
    Místo konáníBudapešť
    ZeměHU - Maďarsko
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.HU - Maďarsko
    Klíč. slovaLithium niobate ; Erbium ; Ion implantation ; Luminescence
    Vědní obor RIVBG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    CEPLC06041 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
    AnotaceSingle crystals like lithium niobate are frequently doped with optically active rare earth or transition metal ions for a variety of applications in optical devices such as solid state lasers, amplifiers or sensors. From a practical point of view it would be very attractive to create a material system where the energy of the emitted photons is close to the pumping energy, therefore the intention in integrated optics was to explore the IR region and more specifically the three telecommunication windows laying between 0.9 and 1.6 µm. To exploit the potential of the Er: LiNbO3 one must ensure high intensity of the 1.5 µm luminescence as an inevitable prerequisity. For that generally crystalline materials are particularly suitable, due to that well known fact that crystal field formed by the atoms surrounding the lasing ions can strongly affect the resulting luminescence properties. The ion implantation technique is one of the ways to prepare a laser active ions doped optical layers.
    PracovištěÚstav jaderné fyziky
    KontaktMarkéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.