Epitaxial rectrystalization of the Ni/MgO(001)interface

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0185815
Druh ASEP	K - Konferenční příspěvek (lokální konf.)
Zařazení RIV	Stať ve sborníku
Název	Epitaxial rectrystalization of the Ni/MgO(001)interface
Tvůrce(i)	Vacík, Jiří (UJF-V)_{RID, ORCID, SAI} Naramoto, H. (JP) Yamamoto, S. (JP) Narumi, K. (JP) Havránek, Vladimír (UJF-V)_{RID, SAI, ORCID}
Zdroj.dok.	Epitaxial rectrystalization of the Ni/MgO(001)interface. - Plzeň, 2002 s. 389-391
Poč.str.	3 s.
Akce	Konference českých a slovenských fyziků /14./
Datum konání	09.09.2002-12.09.2002
Místo konání	Plzeň
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	Ni ; MgO ; epitaxy
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ	AV0Z1048901 - UJF-V
Anotace	Process of recrystallization of the epitaxially grown Ni layer deposited on the MgO(001) single crystal is studied. Thin Ni layer prepared by the vapor deposition of Ni on the MgO substrate kept were annealed between 500 and 1000 0C and systematically analyzed by Rutherford backscattering, X-ray diffraction and atomic force microscopy. Dramatic change in evolution of the crystalline quality was observed during the thermal treatment. The strain and defect density gradually decreased and at the temperature 1000 0C the strain-free Ni/MgO(001) interface was obtained.
Pracoviště	Ústav jaderné fyziky
Kontakt	Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228
Rok sběru	2004

Počet záznamů: 1