Počet záznamů: 1  

Corrosion of ceramic silicon carbide in hydrofluoric acid

  1. 1.
    SYSNO ASEP0544788
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevCorrosion of ceramic silicon carbide in hydrofluoric acid
    Tvůrce(i) Brožek, Vlastimil (UFP-V) RID
    Živný, Oldřich (UFP-V) RID
    Mastný, L. (CZ)
    Matušek, M. (CZ)
    Pokorný, P. (CZ)
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Ceramics - Silikáty. - : University of Chemistry and Technology Prague - ISSN 0862-5468
    Roč. 65, č. 2 (2021), s. 158-169
    Poč.str.12 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovaCorrosion resistance ; Hydrofluoric acid ; Silicon carbide
    Vědní obor RIVJK - Koroze a povrchové úpravy materiálů
    Obor OECDMaterials engineering
    CEPGC17-10246J GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaUFP-V - RVO:61389021
    UT WOS000681448700007
    EID SCOPUS85111657999
    DOI10.13168/cs.2021.0015
    AnotaceSilicon carbide usable in mechanical or electrical engineering is produced in various purity grades and exhibits a large number of crystal structure variants. As for use in the chemical field, it is commonly stated that it is highly resistant in acid media but not suitable for use in alkaline media. This paper discusses the resistance of compact silicon carbide to hydrofluoric acid. The compact silicon carbide has been prepared by sintering using the SSiC method with or without binders based on scandium oxide Sc2O3 and calcium fluoride CaF2. The purest silicon carbide sample of cubic 3C structure sintered without a binder was almost insoluble in hydrofluoric acid. It has been shown, however, that pure silicon carbide is perfectly insoluble in hydrofluoric acid irrespective of the structure variants detected in the samples (3C, 4H, 6H, 15R). The corrosion stability of the compact ceramics is affected by the residual SiO2 content (together with other impurities) in imperfect SiC preparations, and it is influenced by the choice and chemical properties of the chosen ceramic binder as well.
    PracovištěÚstav fyziky plazmatu
    KontaktVladimíra Kebza, kebza@ipp.cas.cz, Tel.: 266 052 975
    Rok sběru2022
    Elektronická adresahttps://www.irsm.cas.cz/materialy/cs_content/2021_doi/Brozek_CS_2021_0015.pdf
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.