Počet záznamů: 1
Laser-generated ns plasma pulses characterized using SiC Schottky diode
- 1.
SYSNO ASEP 0531997 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Laser-generated ns plasma pulses characterized using SiC Schottky diode Tvůrce(i) Torrisi, L. (IT)
Torrisi, Alfio (UJF-V) RID, ORCID
Cutroneo, Mariapompea (UJF-V) ORCID, RID, SAICelkový počet autorů 3 Číslo článku 202000012 Zdroj.dok. Contributions to Plasma Physics. - : Wiley - ISSN 0863-1042
Roč. 60, č. 7 (2020)Poč.str. 11 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova laser-generated plasma ; photopeak ; SiC-TOF ; SiC detector Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech Obor OECD Fluids and plasma physics (including surface physics) Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000562519400001 EID SCOPUS 85081406231 DOI 10.1002/ctpp.202000012 Anotace The nonequilibrium plasma generated by nanosecond laser pulse is characterized using a SiC detector connected in time-of-flight configuration to measure the radiations emitted from the plasma. Different metallic targets were irradiated by the pulsed laser at an intensity of 10(10) W/cm(2)and 200 mJ pulse energy. The SiC allows detecting ultraviolet radiations and soft X-rays, electrons, and ions. The obtained plasma has a temperature of the order of tens to hundreds eV depending on the atomic number of the irradiated target and ion accelerations of the order of 100 eV per charge state. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://doi.org/10.1002/ctpp.202000012
Počet záznamů: 1