Počet záznamů: 1
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
- 1.
SYSNO ASEP 0502820 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs Tvůrce(i) Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Jarý, Vítězslav (FZU-D) RID, ORCID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D) ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Ledoux, G. (FR)
Dujardin, C. (FR)
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 14 Zdroj.dok. CrystEngComm. - : Royal Society of Chemistry - ISSN 1466-8033
Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362Poč.str. 7 s. Forma vydání Online - E Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova InGaN ; MOVPE ; QW number Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access s časovým embargem (01.02.2020) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000454942600015 EID SCOPUS 85059551673 DOI 10.1039/C8CE01830H Anotace InGaN/GaN multiple quantum well structures are studied as potential candidates for superfast scintillation detectors and show the leading decay time of around 1 ns and intense luminescence. Photoluminescence properties of these structures with quantum well numbers ranging from 10 to 60 are described. It is shown that with increased QW number, the luminescence efficiency of the whole structure increases due to the V-pits of a sufficient size suppressing non-radiative recombination. Suppression of the non-radiative recombination near dislocations is demonstrated by the cathodoluminescence measurement. The optimal V-pit size is found to be in the range from 200 to 300 nm, which is obtained for structures with 40 QWs. On the other hand, when the V-pit size exceeds the optimal value, the PL intensity decreases by strong V-pit coalescence, which is observed for structures with 60 QWs. For further increasing the active region thickness it is necessary to find a way to control the V-pit size.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1