Počet záznamů: 1
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
- 1.Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Jarý, Vítězslav - Dominec, Filip - Slavická Zíková, Markéta - Hájek, František - Hulicius, Eduard - Vetushka, Aliaksi - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Nikl, Martin
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs.
CrystEngComm. Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362. ISSN 1466-8033
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.117, rok: 2019
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
http://hdl.handle.net/11104/0294704
Počet záznamů: 1