Počet záznamů: 1  

Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs

  1. SYS0502820
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103221751.9
    014
      
    $a 85059551673 $2 SCOPUS
    014
      
    $a 000454942600015 $2 WOS
    017
      
    $a 10.1039/C8CE01830H $2 DOI
    100
      
    $a 20190314d m y slo 03 ba
    101
      
    $a eng
    102
      
    $a GB
    200
    1-
    $a Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    215
      
    $a 7 s. $c E
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0258118 $1 011 $a 1466-8033 $1 200 1 $a CrystEngComm $v Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362 $1 210 $c Royal Society of Chemistry
    610
      
    $a InGaN
    610
      
    $a MOVPE
    610
      
    $a QW number
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0255746 $a Jarý $b Vítězslav $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $p FZU-D $i Dielektrika $j Dielectrics $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0373224 $a Slavická Zíková $b Markéta $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0240734 $a Vetushka $b Aliaksi $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $y CZ $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0342732 $a Ledoux $b G. $y FR
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0039878 $a Dujardin $b C. $y FR
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100408 $a Nikl $b Martin $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.