Počet záznamů: 1
Damage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions
- 1.
SYSNO 0497102 Název Damage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions Tvůrce(i) Macková, Anna (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
Jagerová, Adéla (UJF-V) [ONF] ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)
Klímová, K. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Mikulics, M. (DE)
Bottger, R. (DE)
Akhmadaliev, S. (DE)Korespondující/senior Macková, Anna - Korespondující autor Zdroj.dok. Surface and Coatings Technology. Roč. 355, SI (2018), s. 22-28. - : Elsevier Konference International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB), 09.07.2017 - 14.07.2017, Lisbon Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant EF16_013/0001812 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 Jazyk dok. eng Země vyd. CH Klíč.slova GaN damage accumulation * structure modification in c-plane and a-plane * GaN * RBS channeling studies of implanted GaN Spolupracující instituce Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem (Česká republika)
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze (Česká republika)Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0289694
Počet záznamů: 1