Počet záznamů: 1
Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles
- 1.
SYSNO 0496537 Název Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles Tvůrce(i) Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Kupčík, Jaroslav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Nanocon 2017 : conference proceedings : 9th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. S. 123-127. - Ostrava : Tanger Ltd., 2018 Konference NANOCON 2017. International Conference on Nanomaterials - Research & Application /9./, 18.10.2017 - 20.10.2017, Brno Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant KONNECT-007, CZ - Česká republika, KR - Jižní Korea LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858 Jazyk dok. eng Země vyd. CZ Klíč.slova PECVD * a-Si:H diode structures * Ge * nanoparticles Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0289330
Počet záznamů: 1