Počet záznamů: 1  

Influence of the growth temperature on the Si-V photoluminescence in diamond thin films

  1. 1.
    SYSNO ASEP0496473
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevInfluence of the growth temperature on the Si-V photoluminescence in diamond thin films
    Tvůrce(i) Dragounová, Kateřina (FZU-D) ORCID
    Ižák, Tibor (FZU-D) RID
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Potůček, Z. (CZ)
    Bryknar, Z. (CZ)
    Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů6
    Číslo článku219
    Zdroj.dok.Applied Physics A - Materials Science & Processing. - : Springer - ISSN 0947-8396
    Roč. 124, č. 3 (2018), s. 1-5
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovacvd diamond ; silicon-vacancy centre ; photoluminescence ; microwave plasma
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGC15-22102J GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000427202900016
    EID SCOPUS85041726452
    DOI10.1007/s00339-018-1643-0
    AnotaceThe influence of growth temperature on the intensity of Si-V colour centres photoluminescence (PL) was studied in diamond thin films. The films were grown by a microwave plasma enhanced chemical vapour deposition system. The film quality and surface morphology were characterised by Raman spectroscopy and scanning electron microscopy, respectively. For selected samples, the temperature behaviour of steady-state PL emission spectra was studied within the range 11 ÷ 300 K as well. The PL properties are related to the film growth temperature. We found that 800 °C is the optimal growth temperature, at which the highest intensity of the Si-V centre PL was observed. For all the samples, the blue shift in the position of the Si-V centre PL zero-phonon line is observed with decreasing temperature, which is attributed to the effects of lattice contraction and quadratic electron–phonon coupling. The zero-phonon line narrowing is discussed regarding vibrations of the perturbed lattice.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2019
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.