Počet záznamů: 1
Voltage-controlled ferroelastic switching in Pb(Zr.sub.0.2./sub.Ti.sub.0.8./sub.)O.sub.3./sub. thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0451366 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Voltage-controlled ferroelastic switching in Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films Tvůrce(i) Khan, A.I. (US)
Martí, Xavier (FZU-D) RID, ORCID
Serrao, C. (US)
Ramesh, R. (US)
Salahuddin, S. (US)Zdroj.dok. Nano Letters. - : American Chemical Society - ISSN 1530-6984
Roč. 15, č. 4 (2015), s. 2229-2234Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova nanodomains ; ferroelastic switching ; ferroelectricity ; Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 ; thin film Vědní obor RIV BE - Teoretická fyzika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000352750200003 EID SCOPUS 84926628630 DOI 10.1021/nl503806p Anotace We report a voltage controlled reversible creation and annihilation of a-axis oriented 10 nm wide ferroelastic nanodomains without a concurrent ferroelectric 180° switching of the surrounding c-domain matrix in archetypal ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films by using the piezo-response force microscopy technique. In previous studies, the coupled nature of ferroelectric switching and ferroelastic rotation has made it difficult to differentiate the underlying physics of ferroelastic domain wall movement. Our observation of distinct thresholds for ferroelectric and ferroelastic switching allows us investigate the ferroelastic switching cleanly and demonstrate a new degree of nanoscale control over the ferroelastic domains. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1