Počet záznamů: 1
Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0432780 Druh ASEP K - Konferenční příspěvek (lokální konf.) Zařazení RIV Stať ve sborníku Název Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)Zdroj.dok. Sborník příspěvků 4. studentské vědecké konference fyziky pevných látek. - Praha : Česká technika-nakladatelství ČVUT, 2014 / Aubrecht J. ; Dragounová K. ; Fojtíková J. ; Kalvoda L. ; Kučeráková M. - ISBN 978-80-01-05565-6
S. 84-89Poč.str. 6 s. Forma vydání Tištěná - P Akce Student Scientific Conference on Solid State Physics /4./ Datum konání 23.06.2014-27.06.2014 Místo konání Nové Hrady Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova quantum dot ; InAs ; GaAsSb ; high resolution transmission electron microscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR 7AMB12GR034 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1