Počet záznamů: 1  

Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy

  1. SYS0432780
    LBL
      
    02501^^^^^2200373^^^450
    005
      
    20240103204745.1
    100
      
    $a 20141104d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a CZ
    200
    1-
    $a Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
    215
      
    $a 6 s. $c P
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0432782 $1 010 $a 978-80-01-05565-6 $1 200 1 $a Sborník příspěvků 4. studentské vědecké konference fyziky pevných látek $v S. 84-89 $1 210 $a Praha $c Česká technika-nakladatelství ČVUT $d 2014 $1 702 1 $a Aubrecht $b J. $4 340 $1 702 1 $a Dragounová $b K. $4 340 $1 702 1 $a Fojtíková $b J. $4 340 $1 702 1 $a Kalvoda $b L. $4 340 $1 702 1 $a Kučeráková $b M. $4 340
    610
    0-
    $a quantum dot
    610
    0-
    $a InAs
    610
    0-
    $a GaAsSb
    610
    0-
    $a high resolution transmission electron microscopy
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0219559 $a Komninou $b Ph. $y GR $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0296566 $a Kioseoglou $b J. $y GR $4 070
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.