Počet záznamů: 1
Crystallinity of the mixed phase silicon thin films by Raman spectroscopy
- 1.0341950 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Ledinský, Martin - Vetushka, Aliaksi - Stuchlík, Jiří - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Štepánek, J.
Crystallinity of the mixed phase silicon thin films by Raman spectroscopy.
[Krystalinita tenké vrstvy křemíku určená Ramanovou spektroskopií.]
Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 19-25 (2008), s. 2253-2257. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
Klíčová slova: silicon * Raman scattering * chemical vapor deposition * Atomic force and scanning tunneling microscopy * Raman spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
Raman spectra of the mixed phase silicon films were studied. The 785 nm excitation was found optimal for crystallinity evaluation.
Studovali jsme Ramanova spektra směsní fází křemíku. Pro určení jejich krystalinity je optimální excitování spekter při 785 nm.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184789
Počet záznamů: 1