High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0522073
Název	High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films
Tvůrce(i)	Stuchlíková, The-Ha (FZU-D)_{RID, ORCID} Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID} Mortet, Vincent (FZU-D)_{RID, ORCID} Ashcheulov, Petr (FZU-D)_{ORCID, RID} Krivyakin, G.K. (RU) Volodin, V. (RU) Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Book of Abstracts of IWEPNM 2019. S. 37-37. - Berlin : Technische Universität Berlin Institut für Festkörperphysik, 2019 / Machón M.
Konference	International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM) /33./, 09.03.2019 - 16.03.2019, Kirchberg
Druh dok.	Abstrakt
Grant	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	DE
Klíč.slova	PIN diodes * hydrogenated silicon carbide * boron doped diamond
URL	https://www.iwepnm.org/fileadmin/user_upload/IWEPNM2019-Abstractbook.pdf
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0306575

Počet záznamů: 1