Počet záznamů: 1
Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications
- 1.
SYSNO 0496205 Název Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Vaněk, Tomáš (FZU-D) ORCID
Jarý, Vítězslav (FZU-D) RID, ORCIDKorespondující/senior Hospodková, Alice - Korespondující autor Zdroj.dok. Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 256-256. - : University of Warsaw, 2018 Konference International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw Druh dok. Abstrakt Grant GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. PL Klíč.slova InGaN/GaN * MQW structure * scintillator Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0289031
Počet záznamů: 1