Počet záznamů: 1
Electrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation study
- 1.
SYSNO 0579305 Název Electrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation study Tvůrce(i) Savchenko, Dariia (FZU-D) RID, ORCID
Yatsyk, D.M. (UA)
Genkin, O.M. (UA)
Nosachov, Yu.F. (UA)
Drozdenko, O.V. (UA)
Moiseenko, V.I. (UA)
Kalabukhova, E.N. (UA)Korespondující/senior Savchenko, Dariia - Korespondující autor Zdroj.dok. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. Roč. 26, č. 1 (2023), s. 30-35. - : Natsional'na Akademiya Nauk Ukrainy Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. UA Klíč.slova conductivity * SiC * cavity perturbation method * activation energy URL https://hdl.handle.net/11104/0348145 Trvalý link https://hdl.handle.net/11104/0348145 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0579305.pdf 0 529.6 KB CC Licence Vydavatelský postprint povolen
Počet záznamů: 1