Počet záznamů: 1  

Technological challenges in the fabrication of MoS.sub.2./sub./diamond heterostructures

  1. 1.
    SYSNO ASEP0578045
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevTechnological challenges in the fabrication of MoS2/diamond heterostructures
    Tvůrce(i) Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
    Sojková, M. (SK)
    Hrdá, J. (CZ)
    Hutar, P. (SK)
    Parsa Saeb, S. (SK)
    Vanko, G. (SK)
    Pribusova Slusna, L. (SK)
    Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
    Fait, Jan (FZU-D) ORCID
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Hulman, M. (SK)
    Celkový počet autorů12
    Zdroj.dok.NANOCON 2022 Conference Proceedings. - Ostrava : Tanger Ltd., 2023 - ISSN 2694-930X - ISBN 978-80-88365-09-9
    Rozsah strans. 21-27
    Poč.str.7 s.
    Forma vydáníOnline - E
    AkceInternational Conference on Nanomaterials - Research & Application /14./ NANOCON
    Datum konání19.10.2022 - 21.10.2022
    Místo konáníBrno
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovatransition metal dichalcogenides ; molybdenum disulfide ; diamond ; heterostructures
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    EID SCOPUS85151378858
    DOI10.37904/nanocon.2022.4586
    AnotaceNowadays, 2D materials are one of the most studied classes of materials. In addition to the most famous graphene, progress has been achieved in studying and using fundamental properties of transition metal dichalcogenides (TMD). Complementary, diamond as a representative of 3D materials has gained a reputation as an extremely versatile material due to its extraordinary combination of physical/chemical/electrical/optical properties. Besides these particular forms of 2D and 3D materials, their heterostructures have become very attractive due to new phenomena and functions (bandgap engineering, enhanced charge transport, optical interaction, etc.). However, individual technological procedures are still minimally investigated and described. Here, we will demonstrate a proof-of-concept for the preparation of MoS2/diamond heterostructures, where two different strategies were employed: a) growth of MoS2 layers on diamond films, and b) growth of diamond films on Si/MoS2 substrates.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2024
    Elektronická adresahttps://www.confer.cz/nanocon/2022/4586-transition-metal-dichalcogenides-and-diamond-new-friends-for-promising-heterostructures
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.