Počet záznamů: 1
Electrostatic Gating of Monolayer Graphene by Concentrated Aqueous Electrolytes
- 1.
SYSNO ASEP 0572772 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Electrostatic Gating of Monolayer Graphene by Concentrated Aqueous Electrolytes Tvůrce(i) Abbas, Ghulam (UFCH-W) ORCID
Farjana, Jaishmin Sonia (UFCH-W) ORCID, RID
Jindra, Martin (UFCH-W) ORCID
Červenka, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Frank, Otakar (UFCH-W) RID, ORCID
Velický, Matěj (UFCH-W) ORCID, RID, SAIZdroj.dok. Journal of Physical Chemistry Letters. - : American Chemical Society - ISSN 1948-7185
Roč. 14, č. 18 (2023), s. 4281-4288Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova CHARGED-IMPURITY SCATTERING ; QUANTUM CAPACITANCE ; RAMAN-SPECTROSCOPY Vědní obor RIV CG - Elektrochemie Obor OECD Electrochemistry (dry cells, batteries, fuel cells, corrosion metals, electrolysis) Vědní obor RIV – spolupráce Fyzikální ústav - Elektrochemie CEP GA23-05895S GA ČR - Grantová agentura ČR LTAUSA19001 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_026/0008382 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora UFCH-W - RVO:61388955 ; FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000984369100001 EID SCOPUS 85159567848 DOI 10.1021/acs.jpclett.3c00814 Anotace Electrostatic gating using electrolytes is a powerful approach for controlling the electronic properties of atomically thin two-dimensional materials such as graphene. However, the role of the ionic type, size, and concentration and the resulting gating efficiency is unclear due to the complex interplay of electrochemical processes and charge doping. Understanding these relationships facilitates the successful design of electrolyte gates and supercapacitors. To that end, we employ in situ Raman microspectroscopy combined with electrostatic gating using various concentrated aqueous electrolytes. We show that while the ionic type and concentration alter the initial doping state of graphene, they have no measurable influence over the rate of the doping of graphene with applied voltage in the high ionic strength limit of 3-15 M. Crucially, unlike for conventional dielectric gates, a large proportion of the applied voltage contributes to the Fermi level shift of graphene in concentrated electrolytes. We provide a practical overview of the doping efficiency for different gating systems. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2024 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0343343
Počet záznamů: 1