Počet záznamů: 1
Light emission dynamics of silicon vacancy centers in a polycrystalline diamond thin film
- 1.
SYSNO ASEP 0569728 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Light emission dynamics of silicon vacancy centers in a polycrystalline diamond thin film Tvůrce(i) Trojánek, F. (CZ)
Hamráček, K. (CZ)
Hanák, M. (CZ)
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Babčenko, Oleg (FZU-D) ORCID
Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Malý, P. (CZ)Celkový počet autorů 8 Zdroj.dok. Nanoscale. - : Royal Society of Chemistry - ISSN 2040-3364
Roč. 15, č. 6 (2023), s. 2734-2738Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova polycrystalline diamond ; silicon vacancy centers ; light emission dynamics ; pump and probe technique Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA19-14523S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000915297800001 EID SCOPUS 85146837540 DOI 10.1039/d2nr05470a Anotace Diamond thin films can be, at a relatively low-cost, prepared with a high-density of light-emitting negatively charged silicon vacancy (SiV) centers, which opens up the possibility of their application in photonics or sensing. The films are composed of diamond grains with both the SiV centers and sp2-carbon phase, the ratio of these two components being dependent on the preparation conditions. The grain surface and the sp2-related defects might act as traps for the carriers excited within the SiV centers, consequently decreasing their internal photoluminescence (PL) quantum efficiency. Here, we show that in a 300 nm thick polycrystalline diamond film on a quartz substrate, the SiV centers in the diamond grains possess similar temperature-dependent (13-300 K) PL decay dynamics as the SiV centers in monocrystalline diamond, which suggests that most of the SiV centers are not directly interconnected with the defects of the diamond thin films. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2024 Elektronická adresa https://doi.org/10.1039/d2nr05470a
Počet záznamů: 1