Počet záznamů: 1  

Enhancing critical current density of bulk MgB.sub.2./sub. via nanoscale boron and Dy.sub.2./sub.O.sub.3./sub. doping

  1. 1.
    SYSNO ASEP0565188
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevEnhancing critical current density of bulk MgB2 via nanoscale boron and Dy2O3 doping
    Tvůrce(i) Miryala, M. (JP)
    Kitamoto, K. (JP)
    Arvapalli, S.S. (JP)
    Das, D. (IN)
    Jirsa, Miloš (FZU-D) RID, ORCID
    Murakami, M. (JP)
    Mamidanna, S.R.R. (IN)
    Celkový počet autorů7
    Číslo článku2200487
    Zdroj.dok.Advanced Engineering Materials. - : Wiley - ISSN 1438-1656
    Roč. 24, č. 11 (2022)
    Poč.str.7 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovacritical current density (J(c)) ; Dy2O3 doping ; flux pinning ; MgB2 ; nanoscale boron ; Raman spectroscopy
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000829204400001
    EID SCOPUS85134625678
    DOI10.1002/adem.202200487
    AnotaceModerate critical current density (Jc) has been a long-lasting problem in bulkMgB2superconductors. We show a certain increment inJcof bulk MgB2via theuse of amorphous boron precursor together with Dy2O3doping. Dy2O3dopantconcentration varies from 0 to 2 wt%. X-Ray diffraction (XRD) shows the for-mation of DyB4particles. The critical temperature (Tc) is not affected by Dy2O3doping and stands close to 38 K, showing that there is no Dy interaction with theMgB2lattice. Microstructural studies show nanometer-sized MgB2grains. A highself-fieldJcof around 380 kA cm 2is achieved at 20 K within the Dy2O3dopingrange of 0.5–1.5 wt%. At around 1 wt% Dy2O3doping an improved high-fieldperformance, 90 kA cm 2at 2 T, 20 K, is observed. In theflux pinning diagram,1 wt% Dy2O3doping caused a peak shift from 0.19 (0 wt%) to 0.23. This indicatessecondary pinning by DyB4and lattice strains. Raman studies show the increasein the phonon density of states (PDOS) with increasing Dy2O3doping.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps://hdl.handle.net/11104/0336703
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.