Počet záznamů: 1
Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films
SYS 0564769 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20231122150958.1 014 $a 85142136611 $2 SCOPUS 017 $a 10.1016/j.omx.2022.100211 $2 DOI 100 $a 20221130d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a NL 200 1-
$a Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films 215 $a 6 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0522012 $1 011 $a 2590-1478 $1 200 1 $a Optical Materials: X $v Roč. 16, Oct. (2022) $1 210 $c Elsevier 610 $a GaN 610 $a thin films 610 $a Ge doping 610 $a luminescence 700 -1
$3 cav_un_auth*0290286 $a Buryi $b Maksym $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0289205 $a Babin $b Vladimir $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $y EE $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0255746 $a Jarý $b Vítězslav $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100485 $a Remeš $b Zdeněk $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $u https://hdl.handle.net/11104/0336364 $9 RIV
Počet záznamů: 1