Počet záznamů: 1  

The electronic properties of SrTiO.sub.3-δ./sub. with oxygen vacancies or substitutions

  1. 1.
    SYSNO ASEP0561024
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevThe electronic properties of SrTiO3-δ with oxygen vacancies or substitutions
    Tvůrce(i) Rusevich, L.L. (LT)
    Tyunina, Marina (FZU-D) ORCID
    Kotomin, E.A. (LT)
    Nepomniashchaia, Natalia (FZU-D) ORCID
    Dejneka, Alexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů5
    Číslo článku23341
    Zdroj.dok.Scientific Reports. - : Nature Publishing Group - ISSN 2045-2322
    Roč. 11, č. 1 (2021)
    Poč.str.8 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaelectronic properties ; including bandgap conductivity ; multifunctional ; perovskite oxide ; ferroelectics
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGA19-09671S GA ČR - Grantová agentura ČR
    EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000728529200065
    EID SCOPUS85120874891
    DOI10.1038/s41598-021-02751-9
    AnotaceThe electronic properties, including bandgap and conductivity, are critical for nearly all applications of multifunctional perovskite oxide ferroelectrics. Here we analysed possibility to induce semiconductor behaviour in these materials, which are basically insulators, by replacement of several percent of oxygen atoms with nitrogen, hydrogen, or vacancies. We explored this approach for one of the best studied members of the large family of ABO3 perovskite ferroelectrics — strontium titanate (SrTiO3). The atomic and electronic structure of defects were theoretically investigated using the large-scale first-principles calculations for both bulk crystal and thin films. The results of calculations were experimentally verified by studies of the optical properties at photon energies from 25 meV to 8.8 eV for in-situ prepared thin films.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps://hdl.handle.net/11104/0333780
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.