Počet záznamů: 1
The electronic properties of SrTiO.sub.3-δ./sub. with oxygen vacancies or substitutions
- 1.
SYSNO ASEP 0561024 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název The electronic properties of SrTiO3-δ with oxygen vacancies or substitutions Tvůrce(i) Rusevich, L.L. (LT)
Tyunina, Marina (FZU-D) ORCID
Kotomin, E.A. (LT)
Nepomniashchaia, Natalia (FZU-D) ORCID
Dejneka, Alexandr (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 5 Číslo článku 23341 Zdroj.dok. Scientific Reports. - : Nature Publishing Group - ISSN 2045-2322
Roč. 11, č. 1 (2021)Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova electronic properties ; including bandgap conductivity ; multifunctional ; perovskite oxide ; ferroelectics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA19-09671S GA ČR - Grantová agentura ČR EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000728529200065 EID SCOPUS 85120874891 DOI 10.1038/s41598-021-02751-9 Anotace The electronic properties, including bandgap and conductivity, are critical for nearly all applications of multifunctional perovskite oxide ferroelectrics. Here we analysed possibility to induce semiconductor behaviour in these materials, which are basically insulators, by replacement of several percent of oxygen atoms with nitrogen, hydrogen, or vacancies. We explored this approach for one of the best studied members of the large family of ABO3 perovskite ferroelectrics — strontium titanate (SrTiO3). The atomic and electronic structure of defects were theoretically investigated using the large-scale first-principles calculations for both bulk crystal and thin films. The results of calculations were experimentally verified by studies of the optical properties at photon energies from 25 meV to 8.8 eV for in-situ prepared thin films. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0333780
Počet záznamů: 1