Počet záznamů: 1
Radiation-induced defect accumulation and annealing in Si-implanted gallium oxide
- 1.
SYSNO 0557036 Název Radiation-induced defect accumulation and annealing in Si-implanted gallium oxide Tvůrce(i) Kjeldby, S. B. (NO)
Azarov, A. (NO)
Nguyen, P. D. (NO)
Venkatachalapathy, V. (RU)
Mikšová, Romana (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
Macková, Anna (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
Kuznetsov, A. (NO)
Prytz, O. (NO)
Vines, L. (NO)Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Roč. 131, č. 12 (2022). - : AIP Publishing Číslo článku 125701 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant EF16_013/0001812 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova Electron energy loss spectroscopy * High resolution transmission electron microscopy * Rutherford backscattering spectroscopy Spolupracující instituce Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem. Přírodovědecká fakulta (Česká republika) URL https://doi.org/10.1063/5.0083858 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0331142
Počet záznamů: 1