Počet záznamů: 1
High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf.sub.0.5./sub.Zr.sub.0.5./sub.O.sub.2./sub. devices by control of oxygen-deficient layer
- 1.
SYSNO ASEP 0553457 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer Tvůrce(i) Yadav, M. (KR)
Kashir, Alireza (FZU-D) ORCID
Oh, S. (KR)
Nikam, R.D. (KR)
Kim, H. (KR)
Jang, H. (KR)
Hwang, H. (KR)Celkový počet autorů 7 Číslo článku 085206 Zdroj.dok. Nanotechnology. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0957-4484
Roč. 33, č. 8 (2022)Poč.str. 10 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova interfacial layer ; annealing temperature ; remnant polarization ; sub-5 nm HZO ; wakeup free ; TEM ; XPS Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Způsob publikování Open access s časovým embargem (19.02.2023) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000725856400001 EID SCOPUS 85121828452 DOI 10.1088/1361-6528/ac3a38 Anotace The formation of an interfacial layer is believed to affect the ferroelectric properties in HfO2 based ferroelectric devices. The atomic layer deposited devices continue suffering from a poor bottom interfacial condition, since the formation of bottom interface is severely affected by atomic layer deposition and annealing process. Herein, the formation of bottom interfacial layer was controlled through deposition of different bottom electrodes (BE) in device structure W/ HZO/BE. The transmission electron microscopy (TEM) and x-ray photoelectron spectroscopy analyses done on devices W/HZO/W and W/HZO/IrOx suggest the strong effect of IrOx in controlling bottom interfacial layer formation while W/HZO/W badly suffers from interfacial layer formation. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac3a38
Počet záznamů: 1