Počet záznamů: 1
Electrical conductivity in oxygen-substituted SrTiO.sub.3-δ./sub. films
- 1.
SYSNO ASEP 0547877 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Electrical conductivity in oxygen-substituted SrTiO3-δ films Tvůrce(i) Tyunina, Marina (FZU-D) ORCID
Savinov, Maxim (FZU-D) RID, ORCID
Dejneka, Alexandr (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 3 Číslo článku 192901 Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 119, Nov. (2021)Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova electrical conductivity ; oxygen-substituted ; SrTiO3-δ films Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA19-09671S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000721489800006 EID SCOPUS 85119037892 DOI 10.1063/5.0072225 Anotace Enhancement of electrical conductivity in fundamentally insulating ABO3 perovskite oxide ferroelectrics is crucial for innovative applications in resistive switching, photovoltaics, and catalysis. One of the methods to raise conductivity in bulk crystals or ceramics relies on the possibility to remove and/or substitute oxygen atoms. Here, we explored this approach for thin films of the representative perovskite oxide SrTiO3. Small-signal AC conductivity was investigated in epitaxial and polycrystalline films, where oxygen vacancies (VO), nitrogen (N), or hydrogen (H) were introduced in situ during filmgrowth. Hoppingmechanismof conductivity was evidenced by the observed strong growth of AC conductivity with temperature, frequency, and AC voltage in all films. Small polarons were identified as charge carriers. Oxygen vacancies/substitutions were suggested to facilitate hopping probability by generating sites for carrier localization. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1063/5.0072225
Počet záznamů: 1