Počet záznamů: 1  

Electrical conductivity in oxygen-substituted SrTiO.sub.3-δ./sub. films

  1. 1.
    SYSNO ASEP0547877
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevElectrical conductivity in oxygen-substituted SrTiO3-δ films
    Tvůrce(i) Tyunina, Marina (FZU-D) ORCID
    Savinov, Maxim (FZU-D) RID, ORCID
    Dejneka, Alexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů3
    Číslo článku192901
    Zdroj.dok.Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
    Roč. 119, Nov. (2021)
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaelectrical conductivity ; oxygen-substituted ; SrTiO3-δ films
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPEF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GA19-09671S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOmezený přístup
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000721489800006
    EID SCOPUS85119037892
    DOI10.1063/5.0072225
    AnotaceEnhancement of electrical conductivity in fundamentally insulating ABO3 perovskite oxide ferroelectrics is crucial for innovative applications in resistive switching, photovoltaics, and catalysis. One of the methods to raise conductivity in bulk crystals or ceramics relies on the possibility to remove and/or substitute oxygen atoms. Here, we explored this approach for thin films of the representative perovskite oxide SrTiO3. Small-signal AC conductivity was investigated in epitaxial and polycrystalline films, where oxygen vacancies (VO), nitrogen (N), or hydrogen (H) were introduced in situ during filmgrowth. Hoppingmechanismof conductivity was evidenced by the observed strong growth of AC conductivity with temperature, frequency, and AC voltage in all films. Small polarons were identified as charge carriers. Oxygen vacancies/substitutions were suggested to facilitate hopping probability by generating sites for carrier localization.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2022
    Elektronická adresahttps://doi.org/10.1063/5.0072225
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.