Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0546598
Název	Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements
Tvůrce(i)	Izsák, Tibor (FZU-D)_ORCID Vanko, G. (SK) Babčenko, Oleg (FZU-D)_ORCID Vincze, A. (SK) Vojs, M. (SK) Zaťko, B. (SK) Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Izsák, Tibor - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 273, Nov. (2021). - : Elsevier
Číslo článku	115434
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	8X20035 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CH
Klíč.slova	polycrystalline diamond * GaN * Raman spectroscopy * stress * SIMS
URL	https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115434
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0323195

Počet záznamů: 1