Nanoscale study of the hole-selective passivating contacts with high thermal budget using C-AFM tomography

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0543404
Název	Nanoscale study of the hole-selective passivating contacts with high thermal budget using C-AFM tomography
Tvůrce(i)	Hývl, Matěj (FZU-D)_ORCID Nogay, G. (CH) Lőper, P. (CH) Haug, F.J. (CH) Jeangros, Q. (CH) Fejfar, Antonín (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Ballif, C. (CH) Ledinský, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Hývl, Matěj - Korespondující autor
Zdroj.dok.	ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 13, č. 8 (2021), s. 9994-10000. - : American Chemical Society
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
	EF16_026/0008382 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	US
Klíč.slova	silicon solar cell * passivating contact * scalpel C-AFM * C-AFM tomography * charge-carrier transport
URL	https://doi.org/10.1021/acsami.0c21282
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0320620

Počet záznamů: 1