Počet záznamů: 1
Nanoscale study of the hole-selective passivating contacts with high thermal budget using C-AFM tomography
- 1.
SYSNO ASEP 0543404 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Nanoscale study of the hole-selective passivating contacts with high thermal budget using C-AFM tomography Tvůrce(i) Hývl, Matěj (FZU-D) ORCID
Nogay, G. (CH)
Lőper, P. (CH)
Haug, F.J. (CH)
Jeangros, Q. (CH)
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Ballif, C. (CH)
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 8 Zdroj.dok. ACS Applied Materials and Interfaces. - : American Chemical Society - ISSN 1944-8244
Roč. 13, č. 8 (2021), s. 9994-10000Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova silicon solar cell ; passivating contact ; scalpel C-AFM ; C-AFM tomography ; charge-carrier transport Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_026/0008382 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000626502700054 EID SCOPUS 85102450293 DOI 10.1021/acsami.0c21282 Anotace We investigate hole selective passivating contacts that consist of an interfacial layer of silicon oxide (SiOx) and a layer of boron-doped SiCx. The fabrication process of these contacts involves an annealing step at temperatures above 750°C which crystallizes the initially amorphous layer and diffuses dopants across the interfacial oxide into the wafer to facilitate charge transport, but it can also disrupt the SiOx layer necessary for wafer-surface passivation. To investigate the transport mechanism of the charge carriers through the selective contact and its changes during the annealing process, we utilize various characterization methods, such as transmission electron microscopy, micro Raman spectroscopy and Conductive Atomic Force Microscopy. Combining the latter with a sequential removal of material, we assemble a tomographic reconstruction of the crystallized layer that reveals the presence of preferential vertical transport channels.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1021/acsami.0c21282
Počet záznamů: 1