Nanocrystalline diamond electrolyte-gates in field effect transistor for a prolific aptasensing HIV-1 tat on hydrogen-terminated surface

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0538344
Název	Nanocrystalline diamond electrolyte-gates in field effect transistor for a prolific aptasensing HIV-1 tat on hydrogen-terminated surface
Tvůrce(i)	Ahmad, N.A. (MY) Rahim, R.A. (MY) Rezek, Bohuslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Ismail, N.S. (MY) Gopinath, S.Ch.B. (MY) Ižák, Tibor (FZU-D)_RID Procházka, V. (CZ) Faudzi, F.N.M. (MY) Abidin, A.S.Z. (MY) Maidizn, N.N.M. (MY)
Zdroj.dok.	International Journal of Nanoelectronics and Materials. Roč. 13, č. 2 (2020), s. 295-306. - : Universiti Malaysia Perlis
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	MY
Klíč.slova	aptamer * electrolyte-gated field effect transistor * HIV-1 Tat * nanocrystalline diamonds
URL	https://ijneam.unimap.edu.my/images/PDF/IJNEAM%20APR%202020/Vol_13_No_2_2020_7_295-306.pdf
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0316158

Počet záznamů: 1