Počet záznamů: 1  

Low-energy electron microscopy of graphene outside UHV: electron-induced removal of PMMA residues used for graphene transfer

  1. 1.
    SYSNO ASEP0525529
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevLow-energy electron microscopy of graphene outside UHV: electron-induced removal of PMMA residues used for graphene transfer
    Tvůrce(i) Materna Mikmeková, Eliška (UPT-D) ORCID, RID, SAI
    Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Paták, Aleš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Polčák, J. (CZ)
    Sluyterman, S. (NL)
    Lejeune, M. (FR)
    Konvalina, Ivo (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Celkový počet autorů8
    Číslo článku146873
    Zdroj.dok.Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. - : Elsevier - ISSN 0368-2048
    Roč. 241, MAY (2020)
    Poč.str.7 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovagraphene ; PMMA ; slow electron treatment ; XPS ; Raman spectroscopy
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Obor OECDElectrical and electronic engineering
    CEPTE01020118 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
    LO1212 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    ED0017/01/01 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaUPT-D - RVO:68081731
    UT WOS000540723700016
    EID SCOPUS85069968563
    DOI10.1016/j.elspec.2019.06.005
    AnotaceTwo-dimensional materials, such as graphene, are usually prepared by chemical vapor deposition (CVD) on selected substrates, and their transfer is completed with a supporting layer, mostly polymethyl methacrylate (PMMA). Indeed, the PMMA has to be removed precisely to obtain the predicted superior properties of graphene after the transfer process. We demonstrate a new and effective technique to achieve a polymer-free CVD graphene by utilizing low-energy electron irradiation in a scanning low-energy electron microscope (SLEEM). The influence of electron-landing energy on cleaning efficiency and graphene quality was observed by SLEEM, Raman spectroscopy (the presence of disorder D peak) and XPS (the deconvolution of the C 1s peak). After removing the absorbed molecules and polymer residues from the graphene surface with slow electrons, the individual graphene layers can also be distinguished outside ultra-high vacuum conditions in both the reflected and transmitted modes of a scanning low-energy (transmission) electron microscope.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2021
    Elektronická adresahttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0368204818302068
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.