Počet záznamů: 1
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond
- 1.
SYSNO 0511336 Název Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Dragounová, K. (CZ)
Ashcheulov, Petr (FZU-D) ORCID, RID
Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Poruba, Aleš (FZU-D) RIDKorespondující/senior Remeš, Zdeněk - Korespondující autor Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : Applications and Materials Science. Roč. 216, č. 21 (2019), s. 1-6. - : Wiley Číslo článku 1900241 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova silicon carbide * boron-doped diamond * diode * photothermal deflection spectroscopy * Raman spectroscopy * infrared spectroscopy * current-voltage characteristics URL https://doi.org/10.1002/pssa.201900241 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0301632
Počet záznamů: 1