Hubáček, T., Hospodková, A., Kuldová, K., Oswald, J., Pangrác, J., Jarý, V., Dominec, F., Slavická Zíková, M., Hájek, F., Hulicius, E., Vetushka, A., Ledoux, G., Dujardin, C., Nikl, M. Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs. CrystEngComm. 2019, 21(2), 356-362. ISSN 1466-8033. E-ISSN 1466-8033. Dostupné z: https://doi.org/10.1039/C8CE01830H