Highly conductive and broadband transparent Zr-doped In.sub.2./sub.O.sub.3./sub. as front electrode for solar cells

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0500632
Název	Highly conductive and broadband transparent Zr-doped In₂O₃ as front electrode for solar cells
Tvůrce(i)	Morales-Masis, M. (NL) Rucavado, E. (CH) Monnard, R. (CH) Barraud, L. (CH) Holovský, Jakub (FZU-D)_{RID, ORCID} Despeisse, M. (CH) Boccard, M. (CH) Ballif, C. (CH)
Zdroj.dok.	IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 8, č. 5 (2018), s. 1202-1207. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GA18-24268S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	US
Klíč.slova	electron mobility * heterojunctions * solar cells * silicon * transparent electrodes * wide band gap semiconductors * zirconium-doped indium oxide (IO:Zr)
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0292711

Počet záznamů: 1