Počet záznamů: 1
Microcrystalline bottom cells in large area thin film silicon MICROMORPH™ solar modules
- 1.
SYSNO ASEP 0485670 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Microcrystalline bottom cells in large area thin film silicon MICROMORPH™ solar modules Tvůrce(i) Hoetzel, J.E. (CH)
Caglar, O. (CH)
Cashmore, J.S. (CH)
Goury, C. (CH)
Kalaš, J. (CH)
Klindworth, M. (CH)
Kupich, M. (CH)
Leu, G.F. (CH)
Lindic, M.H. (CH)
Losio, P.A. (CH)
Mates, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Mereu, B. (CH)
Roschek, T. (CH)
Sinicco, I. (CH)Celkový počet autorů 14 Zdroj.dok. Solar Energy Materials and Solar Cells. - : Elsevier - ISSN 0927-0248
Roč. 157, Dec (2016), s. 178-189Poč.str. 12 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova microcrystalline silicon ; material quality ; PECVD ; Raman crystallinity ; grading ; micromorph Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000384391700024 EID SCOPUS 84971264829 DOI 10.1016/j.solmat.2016.05.043 Anotace The influence of working pressure, inter-electrode gap distance and deposition rate on the quality of microcrystalline silicon preparedby PECVD at 40 MHz in three different KAI™ reactors designs with inter-electrode gaps of 28mm, 16mm and 7mm has been investigated. An unconventional crystallinity profile throughout the intrinsic absorber layer has been developed to further improve either the current density Jsc or Voc and FF. By controlling and tuning the Raman crystallinity a very high open circuit voltage Voc of 41.42V in a tandem cell design in full size modules (1.43m2) could be realized.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1