Počet záznamů: 1
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD
- 1.
SYSNO 0484348 Název GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Petříček, Otto (FZU-D) RIDZdroj.dok. Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8. - : Institute of Physics Publishing Číslo článku 025502 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GP14-21285P GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0279501
Počet záznamů: 1